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专利名称：全焊接单晶硅传感器专利类型：实用新型专利发明人：武羿廷
申请号：CN201921306806.8申请日：20190813公开号：CN210198624U公开日：20200327
摘要：本申请公开了一种全焊接单晶硅传感器，包括圆柱状的进压头、压力芯体和外接接头，所述进压头的一端凹设有用于容纳所述压力芯体的安装槽，所述压力芯体包括壳体和封装于所述壳体中的扩散硅压力敏感芯片，所述壳体靠近所述进压头的一端滑配安装于所述安装槽内，所述壳体背离所述进压头的一端焊接固定于所述进压头，所述外接接头靠近所述进压头的一端套设于所述进压头的顶端，并通过焊接固定于所述进压头，所述进压头背离所述安装槽的一端中心凹设有冲油孔，所述冲油孔连通于所述安装槽。本申请结构简单，降低制造成本，解决传感器不耐腐蚀及高温问题，具有高稳定性和高可靠性。
申请人：苏州轩胜仪表科技有限公司
地址：215400 江苏省苏州市太仓市城厢镇弇山西路158号
国籍：CN
代理机构：无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人：王闯
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